邁向節(jié)能世界的下一個(gè)關(guān)鍵步驟是使用新材料，比如寬帶隙半導(dǎo)體，這些材料可以實(shí)現(xiàn)更高的功率效率、更小的尺寸、更輕的重量、更低的總體成本——或者同時(shí)實(shí)現(xiàn)上述所有優(yōu)點(diǎn)。英飛凌是目前唯一一家提供硅(Si)、碳化硅(SiC)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和氮化鎵(GaN)器件的公司，這一獨(dú)特地位使其成為所有領(lǐng)域客戶的首選。

CoolSiC? - 依賴高壓段的變革

與硅相比，碳化硅(SiC)具有3電子伏特(eV)的寬帶隙和更高的導(dǎo)熱率。基于SiC的MOSFET最適用于高擊穿、高功率的高頻應(yīng)用。與硅相比，諸如RDS(on)等器件參數(shù)隨溫度的變化較小。這使設(shè)計(jì)人員能夠在設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更小的極限，從而實(shí)現(xiàn)更高的性能?；诔墒斓母哔|(zhì)量批量生產(chǎn)，英飛凌CoolSiC?解決方案將革命性技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)可靠性相結(jié)合，為客戶目前和未來的成功提供支持。

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EiceDRIVER? - Gate driver ICs with perfect fit to CoolSiC? MOSFET

EiceDRIVER? SiC MOSFET gate driver ICs are well-suited to drive SiC MOSFETs, especially our ultra-fast switching CoolSiC? SiC MOSFETs. These gate drivers incorporate most important key features and parameters for SiC driving such as tight propagation delay matching, precise input filters, wide output-side supply range, negative gate voltage capability, active Miller clamp, DESAT protection, and extended CMTI capability. >Learn more 

CoolGaN? - 將氮化鎵(GaN)技術(shù)提升到新的水平

GaN比SiC具有更高的帶隙（3.4電子伏特）和更高的電子遷移率。與硅(Si)相比，其擊穿場強(qiáng)度高出十倍，電子遷移率提高一倍。輸出電荷和柵極電荷都比硅(Si)低十倍，反向恢復(fù)電荷幾乎為零，這對于高頻操作至關(guān)重要。GaN是現(xiàn)代諧振拓?fù)渲械氖走x技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)并支持新方法，包括新拓?fù)浜碗娏髡{(diào)制。英飛凌的GaN解決方案基于市場上最穩(wěn)健和性能最好的概念——增強(qiáng)型(e-mode)概念，可提供快速的開關(guān)速度。CoolGaN? 氮化鎵產(chǎn)品專注于高性能和穩(wěn)健性，為許多應(yīng)用（如服務(wù)器、電信、無線充電、適配器和充電器及音頻）中的各種系統(tǒng)增加了重要價(jià)值。CoolGaN?開關(guān)簡單易用，易于采用英飛凌專用的GaN EiceDRIVER?柵極驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行設(shè)計(jì)。 

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