我們提供低壓和高壓柵極驅(qū)動芯片及解決方案，以實(shí)現(xiàn)對IGBT和MOSFET器件高效而可靠的控制。作為高速驅(qū)動解決方案，英飛凌DC-DC低壓柵極驅(qū)動能夠在運(yùn)算和通信負(fù)載點(diǎn)等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)對雙功率MOSFET器件的驅(qū)動，并且可根據(jù)設(shè)計(jì)需求和應(yīng)用條件對系統(tǒng)效率進(jìn)行調(diào)整。您還可以參考英飛凌面向CoolMOS? MOSFET、分立式IGBT器件以及適用于大部分工業(yè)應(yīng)用的模塊的高性能隔離柵驅(qū)動芯片及EiceDRIVER?產(chǎn)品。

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英飛凌提供采用壓接式封裝或模塊化外殼的晶閘管及二極管產(chǎn)品，為電力驅(qū)動、軟啟動電壓、通用電源以及復(fù)雜程度更高的電能傳輸系統(tǒng)等高功率應(yīng)用帶來穩(wěn)定而可靠的表現(xiàn)。

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得益于領(lǐng)先的技術(shù)，英飛凌提供了包括裸片、分立器件、模塊及堆棧在內(nèi)的全系列IGBT產(chǎn)品。依托于豐富的產(chǎn)品系列，我們?yōu)槟墓I(yè)應(yīng)用（通用逆變器、太陽能及風(fēng)力發(fā)電逆變器、UPS、焊接、感應(yīng)加熱裝置和SMPS系統(tǒng)）提供可靠而高效的解決方案。同時，在包括電飯煲、微波爐、電磁爐以及空調(diào)系統(tǒng)等消費(fèi)領(lǐng)域，我們的IGBT產(chǎn)品同樣能夠勝任。此外，英飛凌的汽車級分立式IGBT及模塊可用于壓電注射、HID照明、泵以及小型電機(jī)等應(yīng)用。

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該功率級產(chǎn)品擁有最高等級的效率和功率密度，例如DrMOS和DrBlade。得益于DrBlade產(chǎn)品所采用的Blade芯片嵌入技術(shù)，英飛凌實(shí)現(xiàn)了高度緊湊的集成式MOSFET半橋驅(qū)動方案。

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英飛凌MOSFET系列包含汽車級MOSFET、功率MOSFET和RF MOSFET等產(chǎn)品。面向汽車應(yīng)用的OptiMOS?采用領(lǐng)先的MOSFET技術(shù)和穩(wěn)定的封裝，擁有一流的性能和卓越的載流能力。在電源應(yīng)用領(lǐng)域，OptiMOS? 20V-250V在系統(tǒng)設(shè)計(jì)關(guān)鍵參數(shù)（如導(dǎo)通電阻和品質(zhì)因數(shù)）方面的表現(xiàn)始終是行業(yè)標(biāo)桿。革命性CoolMOS? 500V-900V功率產(chǎn)品系列在能源效率層面設(shè)立了全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，顯著降低了傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，從而提高了大功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的功率密度和效率。

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與常用的硅（Si）相比，SiC器件為高壓功率半導(dǎo)體帶來諸多優(yōu)勢。英飛凌CoolSiC?肖特基二極管產(chǎn)品涵蓋600V-1200V電壓區(qū)間，為多個領(lǐng)域內(nèi)解決方案的效率和系統(tǒng)成本帶來優(yōu)化，例如服務(wù)器、通信、太陽能、照明、消費(fèi)電子、PC電源和AC/DC轉(zhuǎn)換。憑借革命性CoolSiC? 1200V SiC JFET系列產(chǎn)品及其Direct Drive技術(shù)，英飛凌以其卓越的領(lǐng)先科技助力設(shè)計(jì)人員將解決方案的效率提升至前所未有的高度。此外，客戶還可以選擇搭載SiC續(xù)流二極管的高效率IGBT功率模塊。

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